SK海力士成功研发全球最高层238层4D NAND闪存

近日，SK海力士向客户发送了238层 512Gb TLC(Triple Level Cell) 4D NAND闪存的样品，并计划在2023年上半年正式投入量产。

238层NAND闪存成功堆栈更高层数的同时，实现了业界最小的面积。新产品每单位面积具备更高的密度，借其更小的面积能够在相同大小的硅晶片生产出更多的芯片，因此相比176层NAND闪存其生产效率也提高了34%。238层NAND闪存的数据传输速度为2.4Gbps，相比前一代产品提高了50%，芯片读取数据时的能源消耗也减少了21%。

SK海力士计划先为cSSD（client SSD，主要应用范围为PC用存储设备）供应238层NAND闪存，随后将其导入范围逐渐延伸至智能手机和高容量的服务器SSD等。公司还将于明年发布1Tb密度的全新238层NAND闪存产品，其密度是现有产品的两倍。